Pada sambungan pn yang tidak bias, lubang berdifusi dari daerah p ke daerah n karena (1) Elektron bebas di daerah n menariknya. (2) Mereka bergerak melintasi persimpangan dengan perbedaan potensial. (3) Konsentrasi lubang di daerah-p lebih banyak dibandingkan dengan daerah-n. (4) Semua hal di atas.

Jawaban: (3) Konsentrasi lubang di daerah p lebih banyak dibandingkan dengan daerah n.

Persimpangan pn adalah antarmuka atau batas antara dua jenis bahan semikonduktor, yaitu tipe-p dan tipe-n, di dalam semikonduktor.

Kondisi tidak bias

• Jika sambungan pn dibias terbalik, terminal negatif baterai menarik lubang bebas pada tipe-p, sedangkan terminal positif menarik elektron bebas pada tipe-n.
• Dalam dioda sambungan pn, elektron dan hole masing-masing merupakan pembawa muatan minoritas di daerah p dan n.
• Karena difusi pembawa muatan, arus difusi yang mengalir dari daerah p ke n benar-benar seimbang dengan arus drift yang sama dan berlawanan dalam sambungan yang tidak bias.
• Difusi pembawa muatan melintasi persimpangan terjadi dari daerah konsentrasi tinggi ke daerah konsentrasi rendah.
• Di sini konsentrasi lubang lebih banyak di daerah p daripada daerah n dan karenanya lubang berdifusi dari daerah p ke daerah n.

9